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Tsai, Y. H.*; 小畠 雅明; 福田 竜生; 谷田 肇; 小林 徹; 山下 良之*
Applied Physics Letters, 124(11), p.112105_1 - 112105_5, 2024/03
被引用回数:0Recently, gallium oxide (GaO) has attracted much attention as an ultra-wide bandgap semiconductor with a bandgap of about 5 eV. In order to control device properties, it is important to clarify the chemical state of dopants and doping sites. X-ray absorption near edge structure (XANES) and hard X-ray photoemission spectroscopy were used to investigate the dopant sites and chemical states of Sn in Sn-doped -GaO(001) samples. The results show that the chemical state of the Sn dopant is the Sn oxidation state and that the bond lengths around the Sn dopant atoms are longer due to the relaxation effect after Sn dopant insertion. Comparison of experimental and simulated XANES spectra indicates that the octahedral Ga substitution site in -GaO(001) is the active site of the Sn dopant.
畑田 元義*
日本接着学会誌, 30(10), p.467 - 469, 1994/00
単分子膜、累積膜(LB膜)から、化学吸着膜への発展の過程において、主として電子線を利用した化学吸着膜の研究の現状及び将来展望について解説した。化学吸着膜において、基板表面と強力な共有結合や難溶性のイオン結合を作っている膜物質に電子線照射して誘起される放射線化学反応を利用することにより、微細構造など、特徴のある化学吸着膜を作ることができる。電子線による化学吸着膜の作成方法、得られた膜の表面物性、電導度、接着性について解説した。